IRFR120TRPBF
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| Numero parte | IRFR120TRPBF |
| PNEDA Part # | IRFR120TRPBF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.016 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 10 - mag 15 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRFR120TRPBF Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRFR120TRPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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IRFR120TRPBF Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.7A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 4.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 400mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 4-WLCSP (2x2) Pacchetto / Custodia 4-XFBGA, WLCSP |
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