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IRFPS43N50K

IRFPS43N50K

Solo per riferimento

Numero parte IRFPS43N50K
PNEDA Part # IRFPS43N50K
Descrizione MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.006
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 29 - lug 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRFPS43N50K Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFPS43N50K
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRFPS43N50K, IRFPS43N50K Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 170,14 KB)
PDFIRFPS43N50K Datasheet Copertura
IRFPS43N50K Datasheet Pagina 2 IRFPS43N50K Datasheet Pagina 3 IRFPS43N50K Datasheet Pagina 4 IRFPS43N50K Datasheet Pagina 5 IRFPS43N50K Datasheet Pagina 6 IRFPS43N50K Datasheet Pagina 7 IRFPS43N50K Datasheet Pagina 8 IRFPS43N50K Datasheet Pagina 9

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  • IRFPS43N50K Distributor

IRFPS43N50K Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C47A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs350nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8310pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)540W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreSUPER-247™ (TO-274AA)
Pacchetto / CustodiaTO-274AA

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IRF530S

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.7W (Ta), 88W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

2SJ665-DL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

27A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

77mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.65W (Ta), 65W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SMP-FD

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AO6403

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

NTNS3A67PZT5G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

Pacchetto / Custodia

SC-101, SOT-883

RW1E025RPT2CR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-WEMT

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Venduto di recente

ZM4744A-GS18

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE ZENER 15V 1W DO213AB

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Analog Devices

IC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 20PSOP3

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Rohm Semiconductor

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ACCEL 2-16G I2C/SPI 12LGA

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CEL

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IC ADC 16BIT SAR 32LFCSP-WQ

LT8640EUDC#TRPBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJUSTABLE 5A 20QFN

38211600410

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Littelfuse

FUSE BOARD MOUNT 1.6A 250VAC RAD

66F070

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THERMOSTAT 70 DEG NO 8-DIP

BC33725TA

BC33725TA

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TRANS NPN 45V 0.8A TO-92

MAX15006AATT/V+T

MAX15006AATT/V+T

Maxim Integrated

IC REG LINEAR 3.3V 50MA 6TDFN

LM137K

LM137K

STMicroelectronics

IC REG LINEAR NEG ADJ 1.5A TO3