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IRFPS3810PBF

IRFPS3810PBF

Solo per riferimento

Numero parte IRFPS3810PBF
PNEDA Part # IRFPS3810PBF
Descrizione MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 41.664
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRFPS3810PBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFPS3810PBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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IRFPS3810PBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C170A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs390nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6790pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)580W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreSUPER-247™ (TO-274AA)
Pacchetto / CustodiaTO-274AA

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

Pacchetto / Custodia

Die

CPC5602CTR

IXYS Integrated Circuits Division

Produttore

IXYS Integrated Circuits Division

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

350V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-0.35V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14Ohm @ 50mA, 350mV

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

Depletion Mode

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

SIRA90DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

153nC @ 10V

Vgs (massimo)

+20V, -16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10180pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

104W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8

IPS13N03LA G

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1043pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

46W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO251-3

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Stub Leads, IPak

SPW11N60CFDFKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

440mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Venduto di recente

ST62T65CM6

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STMicroelectronics

IC MCU 8BIT 3.8KB OTP 28SOIC

M29W800DT70N6E

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

NUC2401MNTAG

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ON Semiconductor

CMC 100MA 2LN 90 OHM SMD

SMAJ150CA-E3/61

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Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 150V 243V DO214AC

LT1129IS8#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 700MA 8SOIC

LTC3882EUJ#PBF

LTC3882EUJ#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK PMBUS 40QFN

ISL6262CRZ

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Renesas Electronics America Inc.

IC REG CONV INTEL 1OUT 48QFN

RB521S-30TE61

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Rohm Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2

742792662

742792662

Wurth Electronics

FERRITE BEAD 1 KOHM 0603 1LN

1206L050/15YR

1206L050/15YR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 15V 500MA 1206

LTST-C190GKT

LTST-C190GKT

Lite-On Inc.

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

IHLM2525CZER100M01

IHLM2525CZER100M01

Vishay Dale

FIXED IND 10UH 3A 105 MOHM SMD