IRFPC50LCPBF
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| Numero parte | IRFPC50LCPBF |
| PNEDA Part # | IRFPC50LCPBF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.248 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRFPC50LCPBF Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRFPC50LCPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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IRFPC50LCPBF Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 6.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 190W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.21A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 67.62pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 470mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore X1-DFN1212-3 Pacchetto / Custodia 3-UDFN |
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