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IRFP31N50L

IRFP31N50L

Solo per riferimento

Numero parte IRFP31N50L
PNEDA Part # IRFP31N50L
Descrizione MOSFET N-CH 500V 31A TO-247AC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.736
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRFP31N50L Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFP31N50L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRFP31N50L, IRFP31N50L Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 195,77 KB)
PDFIRFP31N50L Datasheet Copertura
IRFP31N50L Datasheet Pagina 2 IRFP31N50L Datasheet Pagina 3 IRFP31N50L Datasheet Pagina 4 IRFP31N50L Datasheet Pagina 5 IRFP31N50L Datasheet Pagina 6 IRFP31N50L Datasheet Pagina 7 IRFP31N50L Datasheet Pagina 8 IRFP31N50L Datasheet Pagina 9

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IRFP31N50L Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C31A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs210nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5000pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)460W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3
Pacchetto / CustodiaTO-247-3

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AO6085N03

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta), 50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.9W (Ta), 31W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

CSD19506KCS

Texas Instruments

Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

156nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12200pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

375W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

FDAF59N30

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

300V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

56mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4670pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

161W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PF

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3 Full Pack

IPP120N08S403AKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 223µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

167nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11550pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

278W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3-1

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™, Polar3™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

98A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

197nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

TO-247-3

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