IRFHM8363TR2PBF
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| Numero parte | IRFHM8363TR2PBF |
| PNEDA Part # | IRFHM8363TR2PBF |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.596 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRFHM8363TR2PBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRFHM8363TR2PBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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IRFHM8363TR2PBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.9mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1165pF @ 10V |
| Potenza - Max | 2.7W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
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