IRFHE4250DTRPBF
Solo per riferimento
| Numero parte | IRFHE4250DTRPBF |
| PNEDA Part # | IRFHE4250DTRPBF |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.910 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 12 - mag 17 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IRFHE4250DTRPBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | IRFHE4250DTRPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
IRFHE4250DTRPBF, IRFHE4250DTRPBF Datasheet
(Totale pagine: 12, Dimensioni: 377,09 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- IRFHE4250DTRPBF Datasheet
- where to find IRFHE4250DTRPBF
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IRFHE4250DTRPBF
- IRFHE4250DTRPBF PDF Datasheet
- IRFHE4250DTRPBF Stock
- IRFHE4250DTRPBF Pinout
- Datasheet IRFHE4250DTRPBF
- IRFHE4250DTRPBF Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IRFHE4250DTRPBF Price
- IRFHE4250DTRPBF Distributor
IRFHE4250DTRPBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | FASTIRFET™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 86A, 303A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.75mOhm @ 27A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 35µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1735pF @ 13V |
| Potenza - Max | 156W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 32-PowerWFQFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 32-PQFN (6x6) |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.6A, 7.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 855pF @ 20V Potenza - Max 3.1W, 3.2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-XFBGA, FCBGA Pacchetto dispositivo fornitore EFCP2718-6CE-020 |
Produttore Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD®, Zero Threshold™ Tipo FET 4 N-Channel, Matched Pair Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 10.6V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 20mV @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 16-SOIC |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1840pF @ 15V Potenza - Max 1.6W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 6.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V Potenza - Max 10.4W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® ChipFET™ Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® ChipFet Dual |
