IRFBC20S
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Numero parte | IRFBC20S |
PNEDA Part # | IRFBC20S |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 7.254 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRFBC20S Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IRFBC20S |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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IRFBC20S Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4Ohm @ 1.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 50W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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