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IRF840AL

IRF840AL

Solo per riferimento

Numero parte IRF840AL
PNEDA Part # IRF840AL
Descrizione MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.456
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF840AL Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF840AL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRF840AL, IRF840AL Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 208,97 KB)
PDFIRF840ASTRR Datasheet Copertura
IRF840ASTRR Datasheet Pagina 2 IRF840ASTRR Datasheet Pagina 3 IRF840ASTRR Datasheet Pagina 4 IRF840ASTRR Datasheet Pagina 5 IRF840ASTRR Datasheet Pagina 6 IRF840ASTRR Datasheet Pagina 7 IRF840ASTRR Datasheet Pagina 8 IRF840ASTRR Datasheet Pagina 9 IRF840ASTRR Datasheet Pagina 10

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IRF840AL Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs850mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1018pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.1W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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NTLUS3A39PZCTBG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

µCool™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.4nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

600mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-UDFN (1.6x1.6)

Pacchetto / Custodia

6-PowerUFDFN

RSD130P10TL

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

20W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

CPT3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTMFS4833NST3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SENSEFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Ta), 156A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 11.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5250pF @ 12V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

900mW (Ta), 86.2W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SO-8FL

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

IRF7342D2TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

FETKY™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 25V

Funzione FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

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FDB9403-F085

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

213nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12700pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

333W (Tj)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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