IRF7351TRPBF
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| Numero parte | IRF7351TRPBF |
| PNEDA Part # | IRF7351TRPBF |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 610.638 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF7351TRPBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRF7351TRPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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IRF7351TRPBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.8mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1330pF @ 30V |
| Potenza - Max | 2W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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Produttore Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 16µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.4nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1105pF @ 25V Potenza - Max 43W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8-4 |
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