IRF7350TRPBF
Solo per riferimento
| Numero parte | IRF7350TRPBF |
| PNEDA Part # | IRF7350TRPBF |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 100V 2.1A 8-SOIC |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.074 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IRF7350TRPBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | IRF7350TRPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- IRF7350TRPBF Datasheet
- where to find IRF7350TRPBF
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IRF7350TRPBF
- IRF7350TRPBF PDF Datasheet
- IRF7350TRPBF Stock
- IRF7350TRPBF Pinout
- Datasheet IRF7350TRPBF
- IRF7350TRPBF Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IRF7350TRPBF Price
- IRF7350TRPBF Distributor
IRF7350TRPBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.1A, 1.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 2.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Potenza - Max | 2W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id 750mV @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.7nC @ 2.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 259pF @ 10V Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TSOP-6-6 |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 6V Potenza - Max 910mW (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore TUMT6 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1225pF @ 25V Potenza - Max 3.1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A, 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V Potenza - Max 1.3W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-223-8 Pacchetto dispositivo fornitore SM8 |
Produttore STMicroelectronics Serie STripFET™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 32A, 60A Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.2mOhm @ 6.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 25V Potenza - Max 23W, 50W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6) |
