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IRF7342QTRPBF

IRF7342QTRPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF7342QTRPBF
PNEDA Part # IRF7342QTRPBF
Descrizione MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.462
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF7342QTRPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF7342QTRPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
IRF7342QTRPBF, IRF7342QTRPBF Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 174,16 KB)
PDFIRF7342QTRPBF Datasheet Copertura
IRF7342QTRPBF Datasheet Pagina 2 IRF7342QTRPBF Datasheet Pagina 3 IRF7342QTRPBF Datasheet Pagina 4 IRF7342QTRPBF Datasheet Pagina 5 IRF7342QTRPBF Datasheet Pagina 6 IRF7342QTRPBF Datasheet Pagina 7 IRF7342QTRPBF Datasheet Pagina 8

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  • IRF7342QTRPBF Distributor

IRF7342QTRPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds690pF @ 25V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Serie

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V, 50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

115mA, 130mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

200mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.1A (Ta), 42A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

805pF @ 20V

Potenza - Max

2.6W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

496pF @ 10V

Potenza - Max

10.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

510mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

304nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

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