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IRF6802SDTR1PBF

IRF6802SDTR1PBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF6802SDTR1PBF
PNEDA Part # IRF6802SDTR1PBF
Descrizione MOSFET 2N-CH 25V 16A SA
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.022
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
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IRF6802SDTR1PBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF6802SDTR1PBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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IRF6802SDTR1PBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1350pF @ 13V
Potenza - Max1.7W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDirectFET™ Isometric SA
Pacchetto dispositivo fornitoreDIRECTFET™ SA

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.3A, 300mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 650mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.95V @ 20mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

8-EMH

AUIRF7303QTR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

515pF @ 25V

Potenza - Max

2.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2950pF @ 25V

Potenza - Max

45W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Produttore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

475pF @ 25V

Potenza - Max

60W

Temperatura di esercizio

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