IRF6619
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Numero parte | IRF6619 |
PNEDA Part # | IRF6619 |
Descrizione | MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 100.740 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRF6619 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IRF6619 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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IRF6619 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta), 150A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5040pF @ 10V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MX |
Pacchetto / Custodia | DirectFET™ Isometric MX |
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