IRF510S
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Numero parte | IRF510S |
PNEDA Part # | IRF510S |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.532 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF510S Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IRF510S |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IRF510S Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.6A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 43W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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