IRF3205STRLPBF
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| Numero parte | IRF3205STRLPBF |
| PNEDA Part # | IRF3205STRLPBF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 24.366 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF3205STRLPBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRF3205STRLPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IRF3205STRLPBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 62A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 146nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3247pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 200W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 569pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 44W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252-3 Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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