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IR2105S

IR2105S

Solo per riferimento

Numero parte IR2105S
PNEDA Part # IR2105S
Descrizione IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.492
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IR2105S Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIR2105S
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
IR2105S, IR2105S Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 134,89 KB)
PDFIR2105STR Datasheet Copertura
IR2105STR Datasheet Pagina 2 IR2105STR Datasheet Pagina 3 IR2105STR Datasheet Pagina 4 IR2105STR Datasheet Pagina 5 IR2105STR Datasheet Pagina 6 IR2105STR Datasheet Pagina 7 IR2105STR Datasheet Pagina 8 IR2105STR Datasheet Pagina 9 IR2105STR Datasheet Pagina 10 IR2105STR Datasheet Pagina 11

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IR2105S Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver2
Tipo di portaIGBT, N-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione10V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 3V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)210mA, 360mA
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Tempo di salita / discesa (tipico)100ns, 50ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Tensione logica - VIL, VIH

1V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-, 4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Tempo di salita / discesa (tipico)

8ns, 8ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VQFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-QFN (3x3)

LTC4440IMS8E#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

Produttore

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

8V ~ 15V

Tensione logica - VIL, VIH

1.3V, 1.6V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2.4A, 2.4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

80V

Tempo di salita / discesa (tipico)

10ns, 7ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP-EP

LM5100AMR/NOPB

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

9V ~ 14V

Tensione logica - VIL, VIH

2.3V, -

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

118V

Tempo di salita / discesa (tipico)

430ns, 260ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO PowerPad

1SD418F2-FZ1500R25KF1

Power Integrations

Produttore

Power Integrations

Serie

SCALE™-1

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

14.5V ~ 15.5V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

18A, 18A

Tipo di ingresso

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

100ns, 100ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

80ns, 35ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-LCC (J-Lead), 32 Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

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