IPU50R3K0CEBKMA1
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| Numero parte | IPU50R3K0CEBKMA1 |
| PNEDA Part # | IPU50R3K0CEBKMA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.070 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPU50R3K0CEBKMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IPU50R3K0CEBKMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
IPU50R3K0CEBKMA1, IPU50R3K0CEBKMA1 Datasheet
(Totale pagine: 14, Dimensioni: 1.638,63 KB)
  
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IPU50R3K0CEBKMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ CE |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 400mA, 13V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 84pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 18W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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