IPP139N08N3 G
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Numero parte | IPP139N08N3 G |
PNEDA Part # | IPP139N08N3-G |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.726 |
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IPP139N08N3 G Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IPP139N08N3 G |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
IPP139N08N3 G, IPP139N08N3 G Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 1.019,89 KB)
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IPP139N08N3 G Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.9mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 33µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1730pF @ 40V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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