IPN70R1K4P7SATMA1
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| Numero parte | IPN70R1K4P7SATMA1 |
| PNEDA Part # | IPN70R1K4P7SATMA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 42.864 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 14 - lug 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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IPN70R1K4P7SATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IPN70R1K4P7SATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IPN70R1K4P7SATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ P7 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 700V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 700mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 158pF @ 400V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 6.2W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223 |
| Pacchetto / Custodia | TO-261-3 |
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