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IPI80N06S3L-05

IPI80N06S3L-05

Solo per riferimento

Numero parte IPI80N06S3L-05
PNEDA Part # IPI80N06S3L-05
Descrizione MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.822
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IPI80N06S3L-05 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIPI80N06S3L-05
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IPI80N06S3L-05, IPI80N06S3L-05 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 190,77 KB)
PDFIPB80N06S3L-05 Datasheet Copertura
IPB80N06S3L-05 Datasheet Pagina 2 IPB80N06S3L-05 Datasheet Pagina 3 IPB80N06S3L-05 Datasheet Pagina 4 IPB80N06S3L-05 Datasheet Pagina 5 IPB80N06S3L-05 Datasheet Pagina 6 IPB80N06S3L-05 Datasheet Pagina 7 IPB80N06S3L-05 Datasheet Pagina 8 IPB80N06S3L-05 Datasheet Pagina 9

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IPI80N06S3L-05 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.8mOhm @ 69A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 115µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs273nC @ 10V
Vgs (massimo)±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds13060pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)165W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO262-3
Pacchetto / CustodiaTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Ta), 30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

951pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

4.1W (Ta), 25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerSMD, Flat Leads

MIC94031YM4-TR

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

TinyFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

16V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 12V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

568mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

NTMFS6H836NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Ta), 74A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 95µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1640pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.7W (Ta), 89W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

BUK9612-55B,118

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 5V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3693pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

157W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

52A (Ta), 353A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 280µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7288pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.9W (Ta), 179W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

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