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IPI80N06S3L-05

IPI80N06S3L-05

Solo per riferimento

Numero parte IPI80N06S3L-05
PNEDA Part # IPI80N06S3L-05
Descrizione MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.822
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IPI80N06S3L-05 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIPI80N06S3L-05
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IPI80N06S3L-05, IPI80N06S3L-05 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 190,77 KB)
PDFIPB80N06S3L-05 Datasheet Copertura
IPB80N06S3L-05 Datasheet Pagina 2 IPB80N06S3L-05 Datasheet Pagina 3 IPB80N06S3L-05 Datasheet Pagina 4 IPB80N06S3L-05 Datasheet Pagina 5 IPB80N06S3L-05 Datasheet Pagina 6 IPB80N06S3L-05 Datasheet Pagina 7 IPB80N06S3L-05 Datasheet Pagina 8 IPB80N06S3L-05 Datasheet Pagina 9

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IPI80N06S3L-05 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.8mOhm @ 69A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 115µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs273nC @ 10V
Vgs (massimo)±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds13060pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)165W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO262-3
Pacchetto / CustodiaTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

16V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 12V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

568mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

BUK9612-55B,118

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 5V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3693pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

157W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NVB6412ANT4G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

58A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.2mOhm @ 58A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

167W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK-3

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1108pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Ta), 74A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 95µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1640pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.7W (Ta), 89W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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