Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

IPI65R660CFDXKSA1

IPI65R660CFDXKSA1

Solo per riferimento

Numero parte IPI65R660CFDXKSA1
PNEDA Part # IPI65R660CFDXKSA1
Descrizione MOSFET N-CH 650V 6A TO262
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.302
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IPI65R660CFDXKSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIPI65R660CFDXKSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • IPI65R660CFDXKSA1 Datasheet
  • where to find IPI65R660CFDXKSA1
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IPI65R660CFDXKSA1
  • IPI65R660CFDXKSA1 PDF Datasheet
  • IPI65R660CFDXKSA1 Stock

  • IPI65R660CFDXKSA1 Pinout
  • Datasheet IPI65R660CFDXKSA1
  • IPI65R660CFDXKSA1 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IPI65R660CFDXKSA1 Price
  • IPI65R660CFDXKSA1 Distributor

IPI65R660CFDXKSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieCoolMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs660mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds615pF @ 100V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)62.5W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO262-3
Pacchetto / CustodiaTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

I prodotti a cui potresti essere interessato

IPI60R520CPAKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

520mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 340µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

66W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO262-3

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

SI5447DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

76mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

1206-8 ChipFET™

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

IRLR3103TRR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

55A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

107W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NVD3055L170T4G-VF01

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 4.5A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 5V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

275pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

28.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NVMTS0D7N06CLTXG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFNW (8.3x8.4)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Venduto di recente

PS2801C-4-A

PS2801C-4-A

CEL

OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16SSOP

MC68HC908GP32CFB

MC68HC908GP32CFB

NXP

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44QFP

S25FL208K0RMFI041

S25FL208K0RMFI041

Cypress Semiconductor

IC FLASH 8M SPI 76MHZ 8SOIC

LTC4416IMS-1#PBF

LTC4416IMS-1#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OR CTRLR SRC SELECT 10MSOP

BAV70

BAV70

Panasonic Electronic Components

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23-3

AD8032ARZ-REEL7

AD8032ARZ-REEL7

Analog Devices

IC OPAMP VFB 2 CIRCUIT 8SOIC

ADM3222ARSZ

ADM3222ARSZ

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

MC7808CDTG

MC7808CDTG

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 8V 1A DPAK

ISL6263BHRZ

ISL6263BHRZ

Renesas Electronics America Inc.

IC REG CONV INTEL 1OUT 32QFN

CDBA540-HF

CDBA540-HF

Comchip Technology

DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AC

MCP1725T-3302E/MC

MCP1725T-3302E/MC

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 500MA 8DFN

AD7793BRUZ

AD7793BRUZ

Analog Devices

IC ADC 24BIT SIGMA-DELTA 16TSSOP