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IPI100N06S3L-03

IPI100N06S3L-03

Solo per riferimento

Numero parte IPI100N06S3L-03
PNEDA Part # IPI100N06S3L-03
Descrizione MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.904
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IPI100N06S3L-03 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIPI100N06S3L-03
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IPI100N06S3L-03, IPI100N06S3L-03 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 192,19 KB)
PDFIPP100N06S3L-03 Datasheet Copertura
IPP100N06S3L-03 Datasheet Pagina 2 IPP100N06S3L-03 Datasheet Pagina 3 IPP100N06S3L-03 Datasheet Pagina 4 IPP100N06S3L-03 Datasheet Pagina 5 IPP100N06S3L-03 Datasheet Pagina 6 IPP100N06S3L-03 Datasheet Pagina 7 IPP100N06S3L-03 Datasheet Pagina 8 IPP100N06S3L-03 Datasheet Pagina 9

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IPI100N06S3L-03 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 230µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs550nC @ 10V
Vgs (massimo)±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds26240pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO262-3
Pacchetto / CustodiaTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1860pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

45W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1285pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

110W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

900mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

470mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.3nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

41pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

350mW (Ta), 5.43W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

240V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.52A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9Ohm @ 700mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.04nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

167pF @ 120V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.3W (Ta), 15W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

950V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 80µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

37W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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