IPI045N10N3GXKSA1
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Numero parte | IPI045N10N3GXKSA1 |
PNEDA Part # | IPI045N10N3GXKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.172 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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IPI045N10N3GXKSA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module |
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Mfr. Numero di parte | IPI045N10N3GXKSA1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IPI045N10N3GXKSA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8410pF @ 50V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 214W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / Custodia | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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