IPD80R2K8CEBTMA1
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Numero parte | IPD80R2K8CEBTMA1 |
PNEDA Part # | IPD80R2K8CEBTMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.528 |
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IPD80R2K8CEBTMA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IPD80R2K8CEBTMA1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IPD80R2K8CEBTMA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | CoolMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.9A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8Ohm @ 1.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 120µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 100V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 42W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252-3 |
Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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