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IPD80N04S306BATMA1

IPD80N04S306BATMA1

Solo per riferimento

Numero parte IPD80N04S306BATMA1
PNEDA Part # IPD80N04S306BATMA1
Descrizione MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.094
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IPD80N04S306BATMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIPD80N04S306BATMA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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IPD80N04S306BATMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie*
Tipo FET-
Tecnologia-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / Custodia-

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BSC079N03LSCGATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Ta), 50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 30W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TDSON-8-1

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

IRF6648TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

86A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.9V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2120pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DIRECTFET™ MN

Pacchetto / Custodia

DirectFET™ Isometric MN

IPP80N04S2L03AKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

213nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3-1

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

DMTH4004LK3Q-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

83nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4450pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.9W (Ta), 180W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252-4L

Pacchetto / Custodia

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

STD11NM65N

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

455mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

110W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Venduto di recente

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IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8-DIP

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TRANS 2NPN 50MA 15V TO78-6

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FERRITE BEAD 600 OHM 0603 1LN

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FIXED IND 22UH 2.8A 174 MOHM SMD

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FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC AXIAL

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1P 600V 45A PB

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ON Semiconductor

TRANS NPN 160V 0.6A SOT23

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

4608X-101-153LF

4608X-101-153LF

Bourns

RES ARRAY 7 RES 15K OHM 8SIP

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

MT41J128M16JT-093:K

MT41J128M16JT-093:K

Micron Technology Inc.

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

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IC REG BCK BST ADJ 1.6A 10DFN