IPD65R250C6XTMA1
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Numero parte | IPD65R250C6XTMA1 |
PNEDA Part # | IPD65R250C6XTMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 5.958 |
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IPD65R250C6XTMA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IPD65R250C6XTMA1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IPD65R250C6XTMA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | CoolMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16.1A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 4.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 400µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 100V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 208.3W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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