IPB180N04S4L01ATMA1
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| Numero parte | IPB180N04S4L01ATMA1 |
| PNEDA Part # | IPB180N04S4L01ATMA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH TO263-7 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.524 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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IPB180N04S4L01ATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IPB180N04S4L01ATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IPB180N04S4L01ATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 140µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 245nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | +20V, -16V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 19100pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 188W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-7-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
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