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IMZ4T108

IMZ4T108

Solo per riferimento

Numero parte IMZ4T108
PNEDA Part # IMZ4T108
Descrizione TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.786
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
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IMZ4T108 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIMZ4T108
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array
Datasheet
IMZ4T108, IMZ4T108 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 150,77 KB)
PDFIMZ4T108 Datasheet Copertura
IMZ4T108 Datasheet Pagina 2 IMZ4T108 Datasheet Pagina 3 IMZ4T108 Datasheet Pagina 4

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IMZ4T108 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN, PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)32V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 100mA, 3V
Potenza - Max300mW
Frequenza - Transizione250MHz, 200MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-74, SOT-457
Pacchetto dispositivo fornitoreSMT6

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

260mV @ 100mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

Potenza - Max

1.04W

Frequenza - Transizione

130MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

2N2915

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 10µA, 5V

Potenza - Max

600mW

Frequenza - Transizione

60MHz

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-78-6 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-78-6

JANTX2N3811L

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/336

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 100µA, 1mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-78-6 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-78-6

BC857SE6433HTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT363-6

PBSS4350SSJ

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2.7A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

340mV @ 270mA, 2.7A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

Potenza - Max

750mW

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