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IKW50N65H5FKSA1

IKW50N65H5FKSA1

Solo per riferimento

Numero parte IKW50N65H5FKSA1
PNEDA Part # IKW50N65H5FKSA1
Descrizione IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 15.030
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IKW50N65H5FKSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIKW50N65H5FKSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IKW50N65H5FKSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)80A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
Potenza - Max305W
Switching Energy520µJ (on), 180µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge120nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C21ns/180ns
Condizione di test400V, 25A, 12Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)57ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO247-3

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

430V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 5V, 14A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

27nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

900ns/6µs

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

STGW50HF60S

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

110A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.45V @ 15V, 30A

Potenza - Max

284W

Switching Energy

250µJ (on), 4.2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

200nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/220ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

IGB20N65S5ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

TIG062E8-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

8V @ 3V, 100A

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

8-ECH

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ON Semiconductor

Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5V @ 4V, 150A

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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