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IKW50N60H3FKSA1

IKW50N60H3FKSA1

Solo per riferimento

Numero parte IKW50N60H3FKSA1
PNEDA Part # IKW50N60H3FKSA1
Descrizione IGBT 600V 100A 333W TO247-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 9.456
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IKW50N60H3FKSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIKW50N60H3FKSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IKW50N60H3FKSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 50A
Potenza - Max333W
Switching Energy2.36mJ
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge315nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C23ns/235ns
Condizione di test400V, 50A, 7Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)130ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO247-3

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IKFW50N60DH3EXKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Potenza - Max

130W

Switching Energy

1.28mJ (on), 560µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

160nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

21ns/174ns

Condizione di test

400V, 40A, 8Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

64ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3-AI

SGU20N40LTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

8V @ 4.5V, 150A

Potenza - Max

45W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

SKB10N60AATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 10A

Potenza - Max

92W

Switching Energy

320µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

52nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

28ns/178ns

Condizione di test

400V, 10A, 25Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

220ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-3

AUIRGP4066D1-E

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

140A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Potenza - Max

454W

Switching Energy

4.24mJ (on), 2.17mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

225nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/200ns

Condizione di test

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

240ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

IRG4BC30S-STRLP

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

34A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

68A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

260µJ (on), 3.45mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

50nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/540ns

Condizione di test

480V, 18A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Venduto di recente

ISL4221EIRZ-T

ISL4221EIRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 16QFN

TLJT107M010R0900

TLJT107M010R0900

CAP TANT 100UF 20% 10V 1411

SMCJ36A-E3/57T

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Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 36V 58.1V DO214AB

ABM8-166-114.285MHZ-T2

ABM8-166-114.285MHZ-T2

Abracon

CRYSTAL 114.2850MHZ 18PF SMD

IHLP1212BZER1R5M11

IHLP1212BZER1R5M11

Vishay Dale

FIXED IND 1.5UH 3.8A 32 MOHM SMD

LM1458M

LM1458M

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

TL072ID

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STMicroelectronics

IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SO

3224W-1-101E

3224W-1-101E

Bourns

TRIMMER 100 OHM 0.25W J LEAD TOP

CM453232-1R5KL

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Bourns

FIXED IND 1.5UH 410MA 600 MOHM

RB751S40

RB751S40

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD523F

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

BAT54C

BAT54C

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3