IKB30N65EH5ATMA1
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| Numero parte | IKB30N65EH5ATMA1 |
| PNEDA Part # | IKB30N65EH5ATMA1 |
| Descrizione | INDUSTRY 14 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.528 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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IKB30N65EH5ATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IKB30N65EH5ATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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IKB30N65EH5ATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | TrenchStop™ 5 |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 55A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Potenza - Max | 188W |
| Switching Energy | 870µJ (on), 300µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 70nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 24ns/159ns |
| Condizione di test | 400V, 30A, 22Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Potenza - Max 268W Switching Energy 410µJ (on), 88µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 99nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 19ns/93ns Condizione di test 400V, 25A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 |
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