IKB03N120H2ATMA1
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| Numero parte | IKB03N120H2ATMA1 |
| PNEDA Part # | IKB03N120H2ATMA1 |
| Descrizione | IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.984 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IKB03N120H2ATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IKB03N120H2ATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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IKB03N120H2ATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 9.6A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 9.9A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
| Potenza - Max | 62.5W |
| Switching Energy | 290µJ |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 22nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 9.2ns/281ns |
| Condizione di test | 800V, 3A, 82Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 42ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
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Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo IGBT Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.82V @ 15V, 30A Potenza - Max 235.8W Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C 45ns/85ns Condizione di test 400V, 30A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 140ns Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 12A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A Potenza - Max 77W Switching Energy 56µJ (on), 122µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 19.5nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 27ns/75ns Condizione di test 400V, 6A, 47Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 74ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 28A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 34A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 8A Potenza - Max 167W Switching Energy 160µJ (on), 160µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 29nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 23ns/140ns Condizione di test 400V, 8A, 50Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 128A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A Potenza - Max 278W Switching Energy 1.18mJ (on), 200µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 47nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 26ns/71ns Condizione di test 400V, 30A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 137ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 |
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