IGB50N65S5ATMA1
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| Numero parte | IGB50N65S5ATMA1 |
| PNEDA Part # | IGB50N65S5ATMA1 |
| Descrizione | IGBT PRODUCTS |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.444 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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IGB50N65S5ATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IGB50N65S5ATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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IGB50N65S5ATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | TrenchStop™ 5 |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 80A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 50A |
| Potenza - Max | 270W |
| Switching Energy | 1.23mJ (on), 740µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 120nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 20ns/139ns |
| Condizione di test | 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
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Produttore STMicroelectronics Serie PowerMESH™ Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 17A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 12A Potenza - Max 32W Switching Energy 135µJ (on), 815µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 54.5nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 17.5ns/175ns Condizione di test 480V, 12A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 31ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore TO-220FP |
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