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IGB50N65S5ATMA1

IGB50N65S5ATMA1

Solo per riferimento

Numero parte IGB50N65S5ATMA1
PNEDA Part # IGB50N65S5ATMA1
Descrizione IGBT PRODUCTS
Produttore Infineon Technologies
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Disponibile 6.444
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IGB50N65S5ATMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIGB50N65S5ATMA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IGB50N65S5ATMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieTrenchStop™ 5
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)80A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 50A
Potenza - Max270W
Switching Energy1.23mJ (on), 740µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge120nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C20ns/139ns
Condizione di test400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

Potenza - Max

375W

Switching Energy

2.85mJ (on), 1.2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

578nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

32ns/166ns

Condizione di test

400V, 75A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

85ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

RGW60TS65GC11

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Potenza - Max

178W

Switching Energy

480µJ (on), 490µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

84nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

37ns/114ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247N

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 3A

Potenza - Max

65W

Switching Energy

55µJ (on), 85µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

19nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17ns/72ns

Condizione di test

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

23.5ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

STGF17NC60SD

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

17A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 12A

Potenza - Max

32W

Switching Energy

135µJ (on), 815µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

54.5nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17.5ns/175ns

Condizione di test

480V, 12A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

31ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

480V, 50A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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