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IDT71V416L15Y8

IDT71V416L15Y8

Solo per riferimento

Numero parte IDT71V416L15Y8
PNEDA Part # IDT71V416L15Y8
Descrizione IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
Produttore IDT, Integrated Device Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.616
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IDT71V416L15Y8 Risorse

Brand IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIDT71V416L15Y8
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IDT71V416L15Y8, IDT71V416L15Y8 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 101,32 KB)
PDFIDT71V416S20PHG8 Datasheet Copertura
IDT71V416S20PHG8 Datasheet Pagina 2 IDT71V416S20PHG8 Datasheet Pagina 3 IDT71V416S20PHG8 Datasheet Pagina 4 IDT71V416S20PHG8 Datasheet Pagina 5 IDT71V416S20PHG8 Datasheet Pagina 6 IDT71V416S20PHG8 Datasheet Pagina 7 IDT71V416S20PHG8 Datasheet Pagina 8 IDT71V416S20PHG8 Datasheet Pagina 9

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IDT71V416L15Y8 Specifiche

ProduttoreIDT, Integrated Device Technology Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso15ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-SOJ

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

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EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

CY7C185-25PC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-PDIP

CY7C185-15VC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOJ

AT25256AW-10SU-2.7

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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