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IDT71V416L12PH8

IDT71V416L12PH8

Solo per riferimento

Numero parte IDT71V416L12PH8
PNEDA Part # IDT71V416L12PH8
Descrizione IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
Produttore IDT, Integrated Device Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.616
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IDT71V416L12PH8 Risorse

Brand IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIDT71V416L12PH8
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IDT71V416L12PH8, IDT71V416L12PH8 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 101,32 KB)
PDFIDT71V416S20PHG8 Datasheet Copertura
IDT71V416S20PHG8 Datasheet Pagina 2 IDT71V416S20PHG8 Datasheet Pagina 3 IDT71V416S20PHG8 Datasheet Pagina 4 IDT71V416S20PHG8 Datasheet Pagina 5 IDT71V416S20PHG8 Datasheet Pagina 6 IDT71V416S20PHG8 Datasheet Pagina 7 IDT71V416S20PHG8 Datasheet Pagina 8 IDT71V416S20PHG8 Datasheet Pagina 9

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IDT71V416L12PH8 Specifiche

ProduttoreIDT, Integrated Device Technology Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina12ns
Tempo di accesso12ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-TSOP II

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Produttore

Micron Technology Inc.

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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169-WFBGA (14x18)

24FC128-I/SM

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

400ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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8-SOIJ

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.0ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-VFBGA (8x9)

MT25QL01GBBB8E12-0AUT

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ms, 2.8ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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