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IDT71V3558XS133PFG8

IDT71V3558XS133PFG8

Solo per riferimento

Numero parte IDT71V3558XS133PFG8
PNEDA Part # IDT71V3558XS133PFG8
Descrizione IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
Produttore IDT, Integrated Device Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.790
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 1 - giu 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IDT71V3558XS133PFG8 Risorse

Brand IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIDT71V3558XS133PFG8
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IDT71V3558XS133PFG8, IDT71V3558XS133PFG8 Datasheet (Totale pagine: 28, Dimensioni: 641,97 KB)
PDFIDT71V3558XS133PFI8 Datasheet Copertura
IDT71V3558XS133PFI8 Datasheet Pagina 2 IDT71V3558XS133PFI8 Datasheet Pagina 3 IDT71V3558XS133PFI8 Datasheet Pagina 4 IDT71V3558XS133PFI8 Datasheet Pagina 5 IDT71V3558XS133PFI8 Datasheet Pagina 6 IDT71V3558XS133PFI8 Datasheet Pagina 7 IDT71V3558XS133PFI8 Datasheet Pagina 8 IDT71V3558XS133PFI8 Datasheet Pagina 9 IDT71V3558XS133PFI8 Datasheet Pagina 10 IDT71V3558XS133PFI8 Datasheet Pagina 11

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IDT71V3558XS133PFG8 Specifiche

ProduttoreIDT, Integrated Device Technology Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Dimensione della memoria4.5Mb (256K x 18)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso4.2ns
Tensione - Alimentazione3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore100-TQFP (14x14)

I prodotti a cui potresti essere interessato

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOIC

IS45S32800J-6BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-TFBGA (8x13)

MT29C4G96MAYBACJG-5 WT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH, RAM

Tecnologia

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

168-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

168-VFBGA (12x12)

AS4C16M32MS-6BINTR

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile SDRAM

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-FBGA (8x13)

MT46H32M16LFBF-6 AT:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.0ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-VFBGA (8x9)

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