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HUFA76419S3ST

HUFA76419S3ST

Solo per riferimento

Numero parte HUFA76419S3ST
PNEDA Part # HUFA76419S3ST
Descrizione MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.546
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HUFA76419S3ST Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHUFA76419S3ST
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
HUFA76419S3ST, HUFA76419S3ST Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 215,43 KB)
PDFHUFA76419S3ST Datasheet Copertura
HUFA76419S3ST Datasheet Pagina 2 HUFA76419S3ST Datasheet Pagina 3 HUFA76419S3ST Datasheet Pagina 4 HUFA76419S3ST Datasheet Pagina 5 HUFA76419S3ST Datasheet Pagina 6 HUFA76419S3ST Datasheet Pagina 7 HUFA76419S3ST Datasheet Pagina 8 HUFA76419S3ST Datasheet Pagina 9 HUFA76419S3ST Datasheet Pagina 10

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HUFA76419S3ST Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieUltraFET™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C29A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28nC @ 10V
Vgs (massimo)±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds900pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)75W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1931pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI3333-8

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

APT4016BVRG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

CTLDM8002A-M621H TR

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

280mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.72nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta)

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TLM621H

Pacchetto / Custodia

6-XFDFN Exposed Pad

NTD4863NA-35G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.2A (Ta), 49A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.8nC @ 10V

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

990pF @ 12V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.27W (Ta), 36.6W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

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Produttore

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Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

390pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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