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HUFA75309T3ST

HUFA75309T3ST

Solo per riferimento

Numero parte HUFA75309T3ST
PNEDA Part # HUFA75309T3ST
Descrizione MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.388
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 1 - lug 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HUFA75309T3ST Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHUFA75309T3ST
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
HUFA75309T3ST, HUFA75309T3ST Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 171,5 KB)
PDFHUFA75309T3ST Datasheet Copertura
HUFA75309T3ST Datasheet Pagina 2 HUFA75309T3ST Datasheet Pagina 3 HUFA75309T3ST Datasheet Pagina 4 HUFA75309T3ST Datasheet Pagina 5 HUFA75309T3ST Datasheet Pagina 6 HUFA75309T3ST Datasheet Pagina 7 HUFA75309T3ST Datasheet Pagina 8

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HUFA75309T3ST Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieUltraFET™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 20V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds352pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.1W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223-4
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.7W (Ta), 88W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB25N06S3L-22

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21.3mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2260pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-3-2

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTMFS5H615NLT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

28A (Ta), 185A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 49A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4860pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.2W (Ta), 139W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

FDC638P

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

48mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1160pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SuperSOT™-6

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta), 45A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

90W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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