HUF76629D3ST-F085
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Numero parte | HUF76629D3ST-F085 |
PNEDA Part # | HUF76629D3ST-F085 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 20A DPAK |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 7.578 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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HUF76629D3ST-F085 Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | HUF76629D3ST-F085 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
HUF76629D3ST-F085, HUF76629D3ST-F085 Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 428,42 KB)
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HUF76629D3ST-F085 Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1280pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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