HUF76629D3S
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Solo per riferimento
Numero parte | HUF76629D3S |
PNEDA Part # | HUF76629D3S |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 20A DPAK |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.500 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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HUF76629D3S Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module |
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Mfr. Numero di parte | HUF76629D3S |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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HUF76629D3S Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | UltraFET™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1285pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 110W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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