HP8M51TB1
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| Numero parte | HP8M51TB1 |
| PNEDA Part # | HP8M51TB1 |
| Descrizione | HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.884 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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HP8M51TB1 Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HP8M51TB1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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HP8M51TB1 Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC, 26.2nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 50V |
| Potenza - Max | 3W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HSOP |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate, 1.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1940pF @ 6V Potenza - Max 550mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore TSMT8 |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs 72.5mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 50V Potenza - Max 18W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-5 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-5 Full-Pak |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 252mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.65nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 81pF @ 15V Potenza - Max 390mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSSOP |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 6V Potenza - Max 1.4W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 17pF @ 25V Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore US6 |
