HP8KA1TB
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| Numero parte | HP8KA1TB |
| PNEDA Part # | HP8KA1TB |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8 |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.482 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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HP8KA1TB Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HP8KA1TB |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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HP8KA1TB Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2550pF @ 15V |
| Potenza - Max | 3W |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HSOP |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 250mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 25V Potenza - Max 150mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore EMT6 |
