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HN2S02FU(TE85L,F)

HN2S02FU(TE85L,F)

Solo per riferimento

Numero parte HN2S02FU(TE85L,F)
PNEDA Part # HN2S02FU-TE85L-F
Descrizione SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.488
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HN2S02FU(TE85L Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHN2S02FU(TE85L,F)
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array

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HN2S02FU(TE85L Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie*
Configurazione diodi-
Tipo di diodo-
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)-
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)-
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If-
Velocità-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr-
Temperatura di esercizio - Giunzione-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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NRVHP620MFDT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Configurazione diodi

2 Independent

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500nA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

MBR2045PTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

840mV @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (TO-3P)

MSAD100-18

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1800V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 300A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5mA @ 1800V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D1

Pacchetto dispositivo fornitore

D1

MD100A16D1-BP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1600V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 300A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5mA @ 1600V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D1

Pacchetto dispositivo fornitore

D1

MBRB3035CTHE3_A/I

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 35V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB

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