HIP6601BECBZ
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| Numero parte | HIP6601BECBZ |
| PNEDA Part # | HIP6601BECBZ |
| Descrizione | IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC |
| Produttore | Renesas Electronics America Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.644 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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HIP6601BECBZ Risorse
| Brand | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HIP6601BECBZ |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
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HIP6601BECBZ Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Half-Bridge |
| Tipo di canale | Synchronous |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 10.8V ~ 13.2V |
| Tensione logica - VIL, VIH | - |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | - |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 15V |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 20ns, 20ns |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC-EP |
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Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 4 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 9.5V ~ 15V Tensione logica - VIL, VIH 1V, 2.5V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 2.6A, 2.4A Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 75V Tempo di salita / discesa (tipico) 10ns, 10ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 20-SOIC |
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