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HIP2103FRTAAZ-T

HIP2103FRTAAZ-T

Solo per riferimento

Numero parte HIP2103FRTAAZ-T
PNEDA Part # HIP2103FRTAAZ-T
Descrizione IC DRVR HALF BRIDGE 60V 8-DFN
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 30.003
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 22 - giu 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HIP2103FRTAAZ-T Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHIP2103FRTAAZ-T
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
HIP2103FRTAAZ-T, HIP2103FRTAAZ-T Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 986,01 KB)
PDFHIP2103FRTAAZ Datasheet Copertura
HIP2103FRTAAZ Datasheet Pagina 2 HIP2103FRTAAZ Datasheet Pagina 3 HIP2103FRTAAZ Datasheet Pagina 4 HIP2103FRTAAZ Datasheet Pagina 5 HIP2103FRTAAZ Datasheet Pagina 6 HIP2103FRTAAZ Datasheet Pagina 7 HIP2103FRTAAZ Datasheet Pagina 8 HIP2103FRTAAZ Datasheet Pagina 9 HIP2103FRTAAZ Datasheet Pagina 10 HIP2103FRTAAZ Datasheet Pagina 11

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HIP2103FRTAAZ-T Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 14V
Tensione logica - VIL, VIH1.63V, 2.06V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)1A, 1A
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)60V
Tempo di salita / discesa (tipico)8ns, 2ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-TDFN (3x3)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

1.2V, 1.8V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

5A, 5A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

8ns, 8ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 140°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

TC427CPA

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 1.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

30ns, 30ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

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Monolithic Power Systems Inc.

Produttore

Monolithic Power Systems Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 12V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

IXDN602SITR

IXYS Integrated Circuits Division

Produttore

IXYS Integrated Circuits Division

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 35V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

7.5ns, 6.5ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC-EP

IR2103STRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

210mA, 360mA

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

100ns, 50ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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