HGTD7N60C3S9A
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| Numero parte | HGTD7N60C3S9A |
| PNEDA Part # | HGTD7N60C3S9A |
| Descrizione | IGBT 600V 14A 60W TO252AA |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.408 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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HGTD7N60C3S9A Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HGTD7N60C3S9A |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
HGTD7N60C3S9A, HGTD7N60C3S9A Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 285,72 KB)
  
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HGTD7N60C3S9A Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 14A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 56A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 7A |
| Potenza - Max | 60W |
| Switching Energy | 165µJ (on), 600µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 23nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
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