HGT1S12N60A4DS
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| Numero parte | HGT1S12N60A4DS |
| PNEDA Part # | HGT1S12N60A4DS |
| Descrizione | IGBT 600V 54A 167W D2PAK |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.916 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGT1S12N60A4DS Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HGT1S12N60A4DS |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
HGT1S12N60A4DS, HGT1S12N60A4DS Datasheet
(Totale pagine: 12, Dimensioni: 580,48 KB)
  
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HGT1S12N60A4DS Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 54A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 96A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
| Potenza - Max | 167W |
| Switching Energy | 55µJ (on), 50µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 78nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 17ns/96ns |
| Condizione di test | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
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