HAT2210RWS-E
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Numero parte | HAT2210RWS-E |
PNEDA Part # | HAT2210RWS-E |
Descrizione | MOSFET N-PAK 8SOP |
Produttore | Renesas Electronics America |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.600 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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HAT2210RWS-E Risorse
Brand | Renesas Electronics America |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | HAT2210RWS-E |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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HAT2210RWS-E Specifiche
Produttore | Renesas Electronics America |
Serie | - |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
Funzione FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Ta), 8A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 10V, 1330pF @ 10V |
Potenza - Max | 1.5W (Ta) |
Temperatura di esercizio | 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
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