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GWM120-0075X1-SLSAM

GWM120-0075X1-SLSAM

Solo per riferimento

Numero parte GWM120-0075X1-SLSAM
PNEDA Part # GWM120-0075X1-SLSAM
Descrizione MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.454
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GWM120-0075X1-SLSAM Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGWM120-0075X1-SLSAM
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
GWM120-0075X1-SLSAM, GWM120-0075X1-SLSAM Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 629,8 KB)
PDFGWM120-0075X1-SMDSAM Datasheet Copertura
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GWM120-0075X1-SLSAM Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo FET6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C110A
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs115nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia17-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS-DIL™

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Vishay Siliconix

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 8.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

600mA, 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

620mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

21.3pF @ 10V

Potenza - Max

265mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

19A, 33A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 12V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.4A, 1.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 15V

Potenza - Max

1.25W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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